.圖中1給我們展示了器件的封裝為SOT23封裝；

.圖中2中為N溝道的原理圖符號(hào)，N溝道MOS管有3個(gè)極，分別是G(柵極)，S(源極)，D(漏極)；注意箭頭方向是從S指向G，同時(shí)內(nèi)部有個(gè)體二極管，方向和箭頭指向一致；

.圖中3給我們標(biāo)注了引腳序號(hào)對(duì)應(yīng)的三個(gè)極，這個(gè)畫封裝焊盤和器件原理圖符號(hào)就是根據(jù)這個(gè)來畫的；圖中4在器件實(shí)物表面絲印有2302字樣，便于我們區(qū)分；

下面是在常溫下測(cè)試的極限參數(shù)：

.VDS = 20V，表示DS之間加載電壓差最大不超過20V；

.VGS = ±8V，表示在GS之間電壓差最大不超過8V，最小不超過-8V；

.ID = 2.1A，表示該MOS管漏極持續(xù)電流最大不超過2.1A；

.Is = 0.6A，表示通過柵極和源極之間的通道產(chǎn)生的電流為0.6A；

.PD = 0.35W，表示該MOS管額定功率是0.35W；這個(gè)和三極管一樣都會(huì)受溫度升高而降低，所以選型還是降額選取；

下面我們主要關(guān)注標(biāo)注的3點(diǎn)內(nèi)容：

1.VGS(th)表示N溝道MOS管的導(dǎo)通閾值，圖中表示該MOS管的導(dǎo)通閾值在0.95V左右；這個(gè)是低閾值MOS管，好處是低電壓即可驅(qū)動(dòng)；

2. RDS(on)表示MOS管導(dǎo)通時(shí)，DS之間的阻抗大?。?/p>

3. Ciss為輸入電容，Coss為輸出電容，Crss為反向傳輸電容，這個(gè)怎么理解，我們舉個(gè)例子：

我們看下圖中三個(gè)極間電容：則有

輸入電容Ciss = Cgd +Cgs；

輸出電容Coss = Cds +Cgd；

Crss = Cgd ；Crss也叫米勒電容，米勒電容為啥會(huì)叫這個(gè)名字咧？我們知道MOS管有個(gè)比較有名的效應(yīng)，即米勒效應(yīng)，就是這個(gè)電容影響的結(jié)果；

即我們前端輸入電壓給Cgs充電時(shí)，當(dāng)Cgs兩端電壓小于閾值電壓，MOS管關(guān)閉；

當(dāng)Cgs兩端電壓開始大于閾值電壓時(shí)，ID電流從0迅速增大，同時(shí)當(dāng)進(jìn)入米勒平臺(tái)效應(yīng)時(shí)，VGS電壓將保持不變，不再上升，此時(shí)VGS部分電流從米勒電容支路流失，待米勒效應(yīng)過后，VGS繼續(xù)上升到驅(qū)動(dòng)電壓；

為什么介紹這個(gè)米勒效應(yīng)，因?yàn)槊桌招?yīng)增加了導(dǎo)通時(shí)間，即額外增加了MOS管的損耗；這個(gè)我們注意一下

MOS管的損耗有3部分構(gòu)成：

1. 導(dǎo)通損耗；

2. 開啟損耗；

3. 關(guān)斷損耗；

最后總結(jié)下選型要求：

1. 根據(jù)我們驅(qū)動(dòng)目標(biāo)要求和結(jié)構(gòu)空間大小確認(rèn)封裝；

2. 根據(jù)目標(biāo)整體電流，確定額定功率；

3. 根據(jù)電路中電源電壓確認(rèn)目標(biāo)MOS管閾值大小；

4. 根據(jù)成本要求，確認(rèn)最終品牌；

N-MOS管在設(shè)計(jì)電路時(shí)可以類比三極管：

1. 基極要加限流電阻，以免MOS管柵極被大電流損壞；

2. 基極要加下拉電阻，確定MOS管閑置時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài)；

3. NMOS管導(dǎo)通條件，在GS兩端電壓差要大于閾值電壓；

4. NMOS管GS不具有鉗位功能，基極電壓只受R2和R3分壓影響；

5. NMOS管是電壓控制元件；

.這個(gè)電路也叫開漏輸出電路，我們經(jīng)常在MCU中看到有的引腳是開漏輸出，即只能輸出低電平，因?yàn)槁O沒有接電壓；

.我們?cè)倏聪翽MOS管應(yīng)用電路；

.1. 我們記住PMOS管開啟條件和NMOS相反，即VS - VG > 閾值電壓；

.2. 當(dāng)輸入低電平時(shí)，PMOS管開啟，漏極輸出5V；

.我們?cè)谘邪l(fā)產(chǎn)品時(shí)，有很多基于干電池的產(chǎn)品，在低功耗設(shè)計(jì)時(shí)，就可以考慮P管來控制電源的開關(guān)：

.1.當(dāng)VCC是我們干電池電壓時(shí)，MCU是3.3V供電；我們就可以用PMOS管來控制電源供給，當(dāng)輸入高時(shí)，PMOS關(guān)閉；當(dāng)輸入低時(shí)，PMOS開啟；

.那如果我們產(chǎn)品是基于鋰電池，那么這個(gè)PMOS管電路還能用么？

.我們MCU高電平是3.3V，鋰電池充滿電壓是4.2V；依然有個(gè)1V左右壓差，PMOS在這種情況下會(huì)導(dǎo)通；

我們知道PMOS是輸入低電平，使VSG壓差大于閾值電壓，讓其導(dǎo)通；前面NMOS我們說過開漏輸出低，我們把2個(gè)電路結(jié)合下；

1. 當(dāng)我們前端電壓輸入低，Q1柵極被R3下拉到地，Q1關(guān)閉，Q3柵極被R5上拉到高，Q3關(guān)閉；

2. 當(dāng)前端輸入高，Q1導(dǎo)通，Q3柵極從高變低，Q3導(dǎo)通，VCC從Q3漏極輸出；

此電路優(yōu)點(diǎn)：

1. 輸入高，輸出高；輸入低，無輸出；此為正邏輯，便于分析控制電路；

2. 無論VCC是多少，我們這個(gè)電路都適用；

我們?cè)谘邪l(fā)產(chǎn)品時(shí)，我們?yōu)榱吮ＷC產(chǎn)品的可靠性，我們會(huì)設(shè)計(jì)電源防反電路；這是為了防止電源錯(cuò)插，插反導(dǎo)致主板燒毀；為了防止這種情況的發(fā)生，我們?cè)谠搭^增加了這一道程序；

我們來看：

1.在小電流場(chǎng)景下，我們一般可以用二極管來做防反電路，利用二極管的單項(xiàng)導(dǎo)電性；

下面左圖中電源正接，電源經(jīng)過D1，R5到地構(gòu)成一個(gè)完整回路，而右圖中電源反接，由于二極管單向?qū)щ?，沒有回路，因此截止；

為啥只能在小電流場(chǎng)景下，大電流下二極管電壓降大，功率就大，發(fā)熱就厲害；

2.我們來看NMOS管

我們知道NMOS管是GS壓差大于開啟電壓才能導(dǎo)通，我們?cè)趺蠢秒娫矗?/p>

如下圖1，2中，2種電路在電源正接時(shí)均可以實(shí)現(xiàn)12V輸出；那么是不是2種電路均可以適用？

我們之前說過，額外加載電路不能對(duì)原來電路造成影響，即反接的話也要對(duì)原來電路沒影響才對(duì)；我們看：

在反接仿真時(shí)可以明顯看出，左圖輸出接近0V，即無輸出；右圖中依然有輸出，而且是負(fù)輸出；

對(duì)于上述電路我們要注意，肯定有人會(huì)疑惑，NMOS管不是VGS電壓大于閾值電壓才開啟么，上面右圖怎么有輸出咧，我們要注意MOS管還有個(gè)體二極管，這個(gè)二極管正向也會(huì)導(dǎo)通的；

上述電路我們優(yōu)化下：

1. NMOS管柵極要做限流處理；

2. VGS電壓不能超過手冊(cè)中最大電壓，還要留有余量，所以柵極電壓我們做分壓處理；

對(duì)于上述電路，我們將大電源電壓分壓成小電壓給柵極，再在R4旁并聯(lián)一個(gè)6V的穩(wěn)壓管，保證NMOS管的可靠性；

2.對(duì)于PMOS，我們類比NMOS管設(shè)計(jì)：